中水回用、廢水零排放中，廢水的濃縮減量，往往會涉及到鈣鹽的結垢問題。針對于電滲析工藝，進水鈣離子究竟要控制在多少以下呢？閥門展小編今天來介紹介紹：
以硫酸鈣系統(tǒng)為例：
資料01 硫酸鈣的結垢
在工業(yè)廢水的處理中，碳酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽都是比較常見的結垢成分，碳酸鹽和磷酸鹽一定程度上可以通過酸來調控，而硫酸鈣垢往往致密堅硬且酸堿難溶，在膜濃縮過程中很不受待見。
最常規(guī)理解：如果系統(tǒng)產生硫酸鈣結垢，廢水中其硫酸鈣溶液濃度已過飽和。在這類系統(tǒng)的測算中，免不了需要了解物質的溶解度及其影響因素。
結晶過程的產生取決于固體與其溶液之間的平衡關系，溶質從溶液中結晶出來，正常都涉及到兩個過程：晶核的產生和晶體的生長。溶液的過飽和度與結晶存在以下的關系：
曲線b：物質溶解度曲線；b曲線以下，屬于穩(wěn)定區(qū)，不存在結晶問題。
曲線a：超溶解度曲線；a曲線以上，屬于不穩(wěn)定區(qū)，溶液能自發(fā)的產生晶核，并伴隨晶體生長。
曲線a和b之間其實還存在一個介穩(wěn)區(qū)，溶液也處于過飽和狀態(tài)，但是由于無法自發(fā)形成晶核，所以還不會產生晶體。
不難理解，b曲線很容易得到，那a曲線可以怎么得到呢？按我的理解，上圖可以給我們一些答案：b曲線條件下，緩慢降低溫度，有晶體析出時，即可找到對應的a曲線對應的點。
在實際過程中，超溶解度曲線的繪制往往會更加復雜一些。基于這些特點，電滲析系統(tǒng)中硫酸鈣的結垢問題是否也需要多角度考慮？
綜合膜行業(yè)朋友的各類反饋：超溶解度曲線對ed而言，意義不明顯，目前均以b曲線參考為主，測算硫酸鈣的溶度積。
部分可參考性解釋如下：1.介穩(wěn)區(qū)的區(qū)間有限，電滲析存在溫升，無法實現精度控制，而且也沒有必要；2. 電滲析遷移過程，膜表面與隔室間溶液存在濃度差，并非一個完全均一的溶液系統(tǒng)；3. 電滲析存在倒極功能，一定條件下的高頻電場可以產生靜電斥力、抑制晶體生長速率；4.工業(yè)水硫酸鹽系統(tǒng)大多為混鹽，無法得到唯一的參考曲線。
資料02 幾個重要的概念
在進行硫酸鈣系統(tǒng)沉淀、溶解等平衡測算時，主要涉及到混合溶液中其它離子對溶解度的影響，這里需要重新回憶大學無機化學的幾個概念：
離子活度：離子實際發(fā)揮作用的濃度稱為有效濃度，或稱為活度。即有時候結垢的陰陽離子沒有想象的那么容易“碰面”。
離子強度：離子強度是衡量溶液中存在離子所產生的電場強度的量度，水溶液中電解質的濃度會影響到其他鹽類的溶解度，而影響的強弱程度就稱為離子強度。
離子積和溶度積常數：前者大，析出沉淀；后者大，無沉淀析出；兩者相等，溶液飽和。
測算時，可參考的公式如下：
其中硫酸鈣在25℃條件下，溶度積ksp'常數與離子強度的參考曲線：
雖然上述3.2德拜-休克爾公式有應用前提條件，但以公式為基礎，硫酸鈣的ksp'常數與離子強度的關系曲線就不難理解。在低濃度時，溶解度隨離子強度增大，活度系數降低，故而硫酸鈣溶解度增加，在高鹽濃度況下，硫酸鈣形成離子對，短程靜電相互作用增強，使溶解度降低。
在實際的ed工藝測算中，含硫酸鈣的廢水系統(tǒng)，測算過程相對簡單化：1. 根據工藝要求，設定濃縮倍數，測算出濃水水質；2. 以濃水數據，測算出系統(tǒng)的濃水離子強度；3. 以離子強度數據為基礎，根據曲線得到濃水硫酸鈣的ksp'常數；3. 根據離子濃度，計算出硫酸鈣的離子積常數；4. 基于上述參數，核對工藝參數設定是否合理?進水ca離子是否滿足要求？
資料03 案例測算說明
(1) 電滲析初步按濃水tds=180g/l考慮，濃縮倍數約5.47倍；
(2) 測算出此條件下的濃水水質，再求離子強度=2.88mol/l（按公式3.3計算即可）；
(3) 得到濃水硫酸鈣ksp'常數=31.2*10^(-4），查圖即可；
(4) 濃水硫酸鈣離子積常數=4.67*10^(-4），按公式計算；
(5) 為了提高穩(wěn)定性，濃水最終按0.8ksp'考慮；
(6) 即滿足濃水離子積常數＜0.8濃水ksp'常數，系統(tǒng)結垢風險極低。
一套流程下來，測算的過程是否與ro設計思路類似？
顯然在這類系統(tǒng)中，前期的評估我們更多地只考慮了鹽效應的影響，硫酸鈣的結垢對電滲析而言，系統(tǒng)還可以通過添加阻垢劑、高頻的倒極、單價選擇膜的選型、設備的拆洗等方式進行應對。此外，由于硫酸鈣的沉淀優(yōu)先在陰膜表面產生，所以陰膜性能的優(yōu)化也是一個選擇，組器的設計更是如此。
閥門展綜合上述簡易分析，不難理解，對于電滲析進水鈣離子而言，幾十ppm、幾百ppm、幾千ppm的系統(tǒng)，也未嘗不可處理，關鍵還是水質特性和處理目標。
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